半導體產業在台灣蓬勃發展，以台積電為首的產業鏈讓台灣成為世界不可或缺的角色，技術與品質則是引以為傲的競爭實力。而最近台灣喬哈斯陸續接到來自半導體製程設備的不同廠商都有著類似的問題，那就是在製程上的殘留物或是異物分析等需求，希望在非破壞或是微破壞的前提下有合適的解決方案。
由於是在製程上的設備，所以首要條件就是好攜帶且不影響設備結構及運作的前提下作檢測，除了常見重金屬以外，也有愈來愈多的檢測需求要看F元素含量。在半導體製程中，氟（Fluorine, F） 常用於乾式蝕刻（Dry Etching）或化學氣相沉積（CVD）後的腔體清洗。然而，若製程後在設備零件表面或管路中產生殘留氟，長期下來氟濃度到達某種程度會對生產穩定性、產品良率及設備壽命產生多方面的負面影響。
可能產生的問題如下：
- 殘留的氟離子與大氣中的水分（H2O）結合，會形成氫氟酸（HF），會破壞設備的表面塗層如陽極或陶瓷塗層等。
- 殘留氟與金屬反應後，會生成不穩定的金屬氟化物在外層鈍化形成氟化膜，若生成後可能因腔體壓力變化或機械振動而脫落形成異物導致晶圓缺陷。
- 腔體壁面上的氟殘留會改變腔體的「內壁狀態」，進行蝕刻過程時，殘留的氟可能會被電漿二次激發，導致蝕刻速率不均或過度蝕刻。
透過台灣喬哈斯代理的手持式雷射導引光譜儀(LIBS)，在針對樣品檢測僅會產生微小破壞( 𝜇𝑚等級)，透過檢量線建置後比對，即可便利且快速地達到檢測目的。
台灣喬哈斯代理多款檢測設備，持續致力於提供不同產業所需要不同的解決方案，尤其對於輕元素檢測，手持式LIBS更是能滿足多數需求，在手持式設備領域領先同業，有任何檢測需求歡迎即刻來電詢問台灣喬哈斯。
以上文章為喬哈斯科技撰寫，如有任何問題，歡迎 聯絡喬哈斯。
